Page 18 - 2019 電子科技產業年鑑電子書
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業
趨
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程提高鏡子(mirror)或鏡片(lens)解析度的
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技術,數值孔徑的數字愈高解析度愈強,愈可
減少光線扭曲,顯影時愈能呈現圖樣原貌,目標
2025年將技術用於量產。
Tokyo Electron(東京威力科創)
ӻ୕̨̻ Ꮠ͜ண௪ 日本半導體設備大廠東京威力科創(Tokyo
Electron:TEL)推出半導體AI檢查技術,將能
改善半導體檢查效率。TEL提出AI影像檢查概
念,指出目前推出的影像檢查技術彈性太差,
༟ࣘԸ๕jᏐ͜ҿࣘʮ̡֜ၣ 只要改變製程或生產線配置,將影響製程與產
線的效能。目前解決問題的方法,是在生產線
合材料解決方案是針對 7 奈米和以下的製程, 反應後由專家修改參數,甚至重寫程式,但這
可以加速晶片效能,且縮短產品上市的時間。 需要專業人才與時間以外,還妨礙生產線調整
雖然在整合上仍具挑戰,但鈷為晶片效能及 與組織改造,尤其是在測試階段的生產線,要配
晶片製造帶來顯著的好處,在較小的尺寸下具有 合生產線調整頻繁修改系統程式,並重新進行學
較低的電阻和可變性,在非常精細的尺寸下改進 習。TEL提出不需要專家也能調整與自動學習的
了填溝能力,並提高可靠性。應用材料公司的整 AI技術,只要操作者輸入一些簡單的資料,就可
合鈷組合產品目前銷往全球的晶圓代工與邏輯客 以自動學習,回到修改前的高精確度,甚至只要
戶。 提供良品的資料,系統也能自動分析出不良品,
ASML(艾司摩爾) 進一步降低引進設備的門檻。TEL的AI影像檢查
全球半導體微影設備領導廠商艾司摩爾 系統CX-M,是由2018年7月購併影像處理技術
(ASML)在全球曝光設備市占率高達80%, 廠Fast提供影像處理裝置FV1400,配合Tokyo
更重要的是,ASML目前是全球EUV設備的唯 Electron Device的AI技術與判別系統而成,特色
一供應商。2019年基於客戶(台積電與三星 在不需要專業晶片,一般PC就能使用。
電子)對於最先進製程節點的技術轉型和生 LAM Research(科林研發)
產能力的大力投資,ASML將推出產能更高的 半導體製程走向7奈米以下,連接各個電晶
極紫外光(EUV)微影系統(Twinscan NXE: 體的銅線就變得越細窄,電阻也因而變高,卻又
3400C),取代現款售價1.2億美元的Twinscan 得承載更多電流以加快切換速度、提高性能,於
NXE: 3400B。ASML強化NXE:3400C的量產效 是會產生電遷移(Electromigration)現象。通電
能,不僅在ASML廠內展示每小時曝光超過170 銅線的電子會把動能傳遞給金屬離子,使離子朝
片晶圓的實力,在客戶端實際生產記憶體晶片 電場反方向運動而逐漸遷移,而造成短路。目前
的製造條件下,也成功達到每天曝光超過2,000 的解決方法,是將銅線置於溝槽內,溝槽內壁則
片晶圓的成果。此外,ASML正在研發繼極紫 包覆厚達2奈米的氮化鉭(tantalum nitride),
外光(EUV)微影系統後的新一代高數值孔徑 能夠阻止銅的佚失。但這種方式頂多撐到10奈
(0.55)曝光技術,高數值孔徑是在EUV曝光製 米及7奈米的節點。Stanford團隊發現以石墨烯
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